一、玻璃基板:先进封装的刷新,沉新界说基板
(一)英特尔持续加码玻璃基板,高举封装工艺刷新旗号
英特尔一向是玻璃基板领域的索求引领者。凭据三叠纪官网,早在十年前英特尔就起头寻找有机基板的代替品,并在亚利桑那州的CH8工厂投资十亿美元试出产玻璃基板。作为封装基板领域的索求引领者,2023年9月英特尔展示了一款职能齐全的基于玻璃基板的测试芯片,并打算于2030年起头批量出产,该芯片使用75微米的玻璃通孔,深宽比为20:1,主题厚度为1毫米。英特尔的新技术不仅仅停顿在玻璃基板的层面,还引入了FoverosDirect(一种拥有直接铜对铜键合职能的高级封装技术),为CPO(Co-packagedOptics,可共同封装光学元件技术)通过玻璃基板设计利用光学传输的方式增长信号,并结合康宁通过CPO工艺集成电光玻璃基板索求400G及以上的集成光学解决规划。英特尔与设备资料合作同伴发展了亲昵合作,与玻璃加工厂LPKF和德国�;�Schott共同致力于玻璃基板的产品化。另表,英特尔还带头组建了一个生态系统,已经占有大无数重要的EDA和IP供给商、云服务提供商和IC设计服务提供商。
英特尔以为玻璃基板有望成为下一代主流的基板材质。凭据ANANDTECH引用的Intel展示PPT,复盘芯片基板的发展汗青,自1970年引线框架大规模使用于芯片封装后,英特尔以为半导体行业主流的基板技术将会每15年扭转一次,将来行业将会迎来玻璃基板的转变,而从有机板到玻璃基板的这个转变将在近10年产生,同时英特尔也以为玻璃基板的出现并不会顿时齐全取代有机板,而是会在将来一段功夫内和有机板共存。

玻璃基板、CPO工艺有望成为混合键合以来的下一代先进封装工艺。凭据ANANDTECH引用的Intel展示PPT,英特尔以为基于玻璃基板、CPO将是先进封装下一代主流技术。相迸仔机板和硅,玻璃基板的机能和密度均有提高,能够允许在更幼的占用面积下封装更多的Chiplets,以此带来更低的整体成本的功耗,让将来数据中心和AI产品得到大幅改进。凭据将来半导体,英特尔研发的CPO也能够通过玻璃基板进行设计,从而实现利用光学传输的方式来增长信号,提高功率的同时降低成本。

(二)玻璃基板:资料与工艺的刷新
玻璃基板重要用来取代原先的硅/有机物基板和中介层,可利用于面板、IC等泛半导体领域。在目前的2.5D封装中,以较为主流的台积电的CoWoS封装为例,是先将半导体芯片(CPU、GPU、存储器等)通过ChiponWafer(CoW)的封装造程一路衔接至中介层(Interposer)上,再通过WaferonSubstrate(WoS)的封装造程将硅中介层衔接至底层基板上;其中,中介层(interposer)通常选用硅(COWOS-S)、有机物(COWOS-R)或者是硅和有机物的结合(COWOS-L)。
玻璃材质的引入能够取代原先的硅中介层和有机基板。玻璃基板直接利用玻璃中介层(GlassInterposer)实现芯片之间、芯片与表部的互联,利用玻璃材质成本低、电学机能好、翘曲低蹬着点来克服有机物材质和硅材质的缺点,来实现更不变、更高效的衔接以及降低出产成本,有望为2.5D/3D封装带来全新的范式扭转。
玻璃基板的3D封装方面,TGV及其有关的RDL将成为关键工艺。目前的3D封装中,以HBM工艺为例,其中的关键技术蕴含TSV(Through-SiliconVias)、微凸点(Microbumps)、TCB键合(Thermo-CompressionBonding,热压键合)、混合键合(hybridbonding)等;对于玻璃基板的3D封装,TGV(ThroughGlassVia,玻璃通孔)、铜孔的填充及其RDL将成为关键工艺。

玻璃基板优势显著。凭据《玻璃通孔技术钻研进展》(陈力等),玻璃基板的优势重要体此刻:
(1)低成本:受益于大尺寸超薄面板玻璃易于获取,以及不必要沉积绝缘层,玻璃转接板的造作成本约莫只有硅基转接板的1/8;
(2)优越的高频电学个性:玻璃资料是一种绝缘体资料,介电常数只有硅资料的1/3左右,损耗因子比硅资料低2~3个数量级,使得衬底损耗和寄生效应大大减幼,能够有效提高传输信号的齐全性;
(3)大尺寸超薄玻璃衬底易于获�。嚎的⑿裣踝右约靶ぬ氐炔AС棠芄涣坎蟪叽纾ù笥�2m×2m)和超�。ㄓ子�50μm)的面板玻璃以及超薄柔性玻璃资料;
(4)工艺流程单一:不必要在衬底表表及TGV内壁沉积绝缘层,且超薄转接板不必要二次减��;
(5)机械不变性强:当转接板厚度幼于100μm时,翘曲依然较��;
(6)利用领域宽泛:除了在高频领域有优良利用远景之表,通明、气密性好、耐侵蚀等机能利益使玻璃通孔在光电系统集成领域、MEMS封装领域有巨大的利用远景。

起源:惠投研报
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